1) is de tegenstroom van de siliciumdiode veel kleiner dan die van de germaniumdiode. De germaniumbuis is de mA-klasse en de siliciumbuis is het nA-niveau. Dit komt omdat bij dezelfde temperatuur ge ni ongeveer drie orden van grootte hoger is dan de silicium Ni, dus onder dezelfde doteringsconcentratie van silicium Jane concentraties minder dan Jane van germaniumconcentratie, zodat de siliciumbuis omgekeerde verzadigingsstroom erg klein is.
2) wanneer de voorwaartse spanning erg klein is, is de stroom van de diode erg klein en pas nadat de voorwaartse spanning een bepaald aantal Ur bereikt, neemt de stroom aanzienlijk toe. Normaal gesproken wordt de spanning Ur een diodedrempelspanning genoemd, ook wel een dode zone- of drempelspanning genoemd. De drempelspanning van een siliciumdiode is groter dan de drempelspanning van de germaniumdiode omdat de Is van de siliciumdiode veel kleiner is dan die van de germaniumdiode. De drempelspanning van algemene siliciumdiode is ongeveer 0,5v ~ 0,6v en de drempelspanning van germaniumdiode is ongeveer 0,1v ~ 0,2v.