Geavanceerde faciliteiten Efficiënte productiedie kan worden onderverdeeld in germaniumdiodes (Ge-buizen) en siliciumdiodes (Si-buizen) volgens de gebruikte halfgeleidermaterialen. Volgens zijn verschillend GEBRUIK, kan het in detectordiode, gelijkrichterdiode, stabiele diode, schakeldiode etc. worden verdeeld. Volgens de kernstructuur kan deze worden onderverdeeld in puntcontactdiode, oppervlaktecontactdiode en planaire diode. Puntcontactdiode is een zeer dunne draaddruk op het oppervlak van de halfgeleiderplak die helder en schoon is, met pulsstroom, het draadeinde aanraakt en sinterend samensmelt met chip, waardoor een pn-overgang wordt gevormd. Vanwege het puntcontact is slechts een kleine stroomsterkte (niet meer dan enkele tientallen milliampère) toegestaan, die geschikt is voor hoogfrequente kleine stroomcircuits, zoals radiodetectie.
De "PN-overgang" van de oppervlaktecontactdiode is groter en maakt een grotere stroom mogelijk (enkele tot enkele tientallen), die hoofdzakelijk wordt gebruikt om wisselstroom om te zetten in een gelijkstroom "gelijkrichter" circuit.
Planar diode is een soort speciale siliciumdiode, die niet alleen grote stroom kan doorlaten, maar ook stabiele en betrouwbare prestaties heeft, die wordt gebruikt in schakelaars, pulsen en hoogfrequente circuits.
Hoe diodes werken.
De kristaldiode is een pn-overgang gevormd door p-type halfgeleider en n-type halfgeleider, vormt een ruimteladingslaag aan beide zijden van de interface en een zelfgebouwd elektrisch veld wordt gebouwd. Wanneer er geen externe spanning is, is de driftstroom die wordt veroorzaakt door het verschil in draaggolvenconcentratie tussen de pn-overgang en het zelfgebouwde elektrische veld gelijk aan de elektrische balanstoestand.
Wanneer de externe spanning verschoven is, verhoogt de interactie tussen het externe elektrische veld en het zelf gebouwde elektrische veld de diffusiestroom van de drager en veroorzaakt deze de voorwaartse stroom.
Wanneer er een omgekeerde spanningsoffset is, worden het externe elektrische veld en het zelfgebouwde elektrische veld verder versterkt en wordt de tegenverzadigingsstroom I0, die onafhankelijk is van de omgekeerde voorspanning, gevormd in een bepaald sperspanningbereik.
Wanneer hoog genoeg gekoppeld aan een omgekeerde spanning, bereikt de pn-overgang van de elektrische veldintensiteit in de ruimteladingslaag de kritische waarde van het draaggolfvermenigvuldigingsproces, produceert een groot aantal elektronengatparen, produceerde een grote omgekeerde doorslagstroomwaarde, het diode-doorslagverschijnsel genoemd.
De geleidbaarheid van een diode.
Het belangrijkste kenmerk van een diode is de unidirectionele geleidbaarheid. In het circuit kan de stroom alleen vloeien van de positieve pool van de diode, de negatieve uitstroom. De voorwaartse en achterwaartse kenmerken van diodes worden aangetoond door eenvoudige experimenten.